三星高管预计明年 HBM 占 DRAM 行业总产能近 30%，高于目前约 20%

三星高管预计明年 HBM 占 DRAM 行业总产能近 30%，高于目前的 20%

AI 导读

三星电子执行副总裁金泰宇预计，HBM 明年将占各家 DRAM 厂商全部晶圆产能的近 30%，高于目前约 20%。HBM 与普通 DRAM 争夺晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压标准 DRAM 供给。该市场目前主要由 SK 海力士、三星电子和美光科技主导。

正文

IT之家 9 月 29 日消息，据路透社报道，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占到各家 DRAM 芯片厂商全部晶圆产能的近 30%，高于目前约 20% 的水平。

三星高管预计明年 HBM 占 DRAM 行业总产能近 30%，高于目前的 20%

三星电子（SSNLF）执行副总裁金泰宇（Kim Taewoo）称，HBM 与普通 DRAM 争夺晶圆产能。这就意味着扩大 HBM 的产出规模，有可能会挤压标准 DRAM 的供给。

据IT之家了解，HBM 是 AI 算力当中的关键元器件，由多层存储芯片垂直堆叠而成，可以让处理器以极高的速度读取海量数据。该市场目前主要由韩国的 SK 海力士、三星电子以及美国美光科技三家企业主导。